IBM公司上周末宣告，现已成功运用32nm SOI工艺打造出了eDRAM嵌入式存储芯片原型样品，号称是“全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备”。

  IBM表明，比较体硅工艺，32nm SOI工艺可提供30%的功能提高，一起功耗下降40%。而比照各大厂商在芯片缓存中一般运用的SRAM，eDRAM的每个存储单元只需要一个晶体管，因而体积更小，存储密度更高，速度和容量都比32nm/22nm SRAM有显着优势。

  具体来说，新32nm eDRAM存储密度是2008年8月他们发明“全球最小存储单元纪录”的22nm嵌入式SRAM的两倍，32nm SRAM的四倍。如运用这一技能，处理器的内置缓存容量将得到成倍提高。

  速度方面，32nm SOI eDRAM的推迟和作业循环时刻均小于2ns，是现在速度最快的嵌入式存储设备。而它的待机功耗仍是同类SRAM的四分之一，犯错几率是SRAM的几千分之一。

  IBM表明，将在12月举办的世界电子设备会议上介绍32nm和22nm的eDRAM技能细节。而该技能未来将被运用在IBM的服务器处理器以及多种运用芯片中，并授权给IBM的多家合作伙伴运用。